그러니까.. 분자 궤도함수(MO)가 만들어 지면서 결합성 MO와 반결합성 MO가 생기고 그 사이에는 밴드갭이 생기게 되잖아요? <div>2번째 껍질에서면 2s, 2p 각각에 결합성과 반결합성이 있고,</div> <div>전자를 쭉 채웠을때 가장 높은 MO의 에너지 준위가 HOMO 인거고, 그 다음 바로 위에 MO의 에너지 준위가 <span style="line-height:16.3636px;font-size:9pt;">채워지지 않은것중 가장 낮은 거인 </span><span style="font-size:9pt;line-height:1.5;">LUMO구요</span></div> <div><span style="font-size:9pt;line-height:1.5;"><br></span></div> <div><span style="font-size:9pt;line-height:1.5;">그러면 이 HOMO와 LUMO 사이의 밴드갭이 물질의 전도성을 결정하는 부분인건가..? 라고 생각을 하다가</span></div> <div><span style="font-size:9pt;line-height:1.5;"><br></span></div> <div>재료과학 책을 뒤져보니 이번엔 원자간 거리가 가까워지면 전자 배열이 요동치면서 선으로 표현되던 1s, 2s, 이런 각각의 껍질의 준위가 분리 되면서 펼쳐지고, 원자간에 평형이 되는 거리에서의 각 껍질들의 범위가 에너지 밴드로 표현이 되더라구요.</div> <div>그렇게 해봤을 때 에너지 밴드가 떨어지는 부분이 생기면 거기가 밴드갭이구요.</div> <div>그렇다면 이경우 어느정도 원자 번호가 커지면 전자가 들어가는 껍질이 있고 들어가지 않는 껍질이 있을겁니다. </div> <div>그리고 전자가 들어가는 껍질이 만들어낸 밴드가 밸런스 밴드, 들어가지 않는 껍질이 컨덕션 밴드 라고 표현이 되는거 같습니다.</div> <div>이 두 밴드 사이의 갭에 따라서 도체, 반도체, 부도체를 나누고요.</div> <div><br></div> <div>...여기까지 생각을 하고 그럼 전도성을 좌우하는건 뭔가. HOMO LUMO사이의 밴드갭이랑 밸런스, 컨덕션 사이의 밴드갭이 같은 얘기인건가?</div> <div>라는 고민에 빠져서 결국</div> <div><br></div> <div>재료과학책에서 표현된 에너지 준위의 분리가 MO형성에 따라 시그마, 파이, 시그마 * 파이* 같은 결합성 MO와 반결합성 MO가 생기는 것을 표현하는 것이다.</div> <div>따라서 가장 낮은 에너지 준위.. 1s시그마 에서 부터 HOMO 지점까지가 밸런스 밴드이고 </div> <div>그 이후 LUMO 부터 가장 높은 준위까지가 컨덕션 밴드이다. <span style="line-height:16.3636px;font-size:9pt;">두 밴드갭은 같은 말이다. </span><span style="font-size:9pt;line-height:1.5;">라고 결론을 내렸습니다.</span></div> <div><br></div> <div><br></div> <div>제가 제대로 이해한게 맞는지 잘 모르겠습니다. ㅠㅠ </div> <div>이게 맞나요?</div> <div><br></div> <div>* 전도성 고분자 같은 경우 이중결합과 단일결합의 반복. 컨쥬게이션으로 전자를 비편제화 시켜 전도성을 높이는 것으로 알고 있습니다.</div> <div> 그렇다면, 전자가 비편제화 되면서 컨덕션밴드의 범위가 넓어지고 HOMO 에너지 준위가 높아지면서 밴드갭이 줄어드는 것으로 이해해도 괜찮을까요?</div>
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