연결 이라는 개념 때문에 조금 모호하긴 한데요. 반도체 (p 또는 n type) 에 어떤 것을 연결한다는 의미는 대개 접합(junction)으로 파악할 수 있습니다. Junction의 종류 중 하나가 p-n junction이 됩니다. pn junction을 에서의 정류작용은 이해하고 계실거라 믿습니다. 다른 junction으로는 반도체(p 또는 n type)과 metal과 junction이 생길 수가 있습니다. 이 경우는 금속과 반도체의 의 Fermi level에 따라 Schottky contact이 되거나 ohmic contact이 형성됩니다. Schottky contact은 diode 처럼 정류작용을 하여 Schottky diode 라고도 알려져 있습니다. Ohmic contact은 energy barrier 가 없거나 낮아 반도체와 금속 접합이 마치 하나의 금속처럼 보입니다.
요컨데 만약 금속에 두 반도체 사이에 있다면 반도체의 Fermi level에 따라 접합 특성이 변하고, Diode 처럼 동작하거나 하나의 금속처럼 동작하게 됩니다.
다른 경우로 두 반도체(p 또는 n) 사이에 부도체 (insulator)가 있으면 p-i-n 구조라고 하는데, 이역시 반도체의 Fermi-level과 부도체의 work function에 따라 특성이 다릅니다. 다만 실용적 으로 그들을 적절히 조합하면 PIN diode라고 불리는 diode를 만들 수 있습니다. 이를 이해하려면 carrier injection이 라는 개념을 알아야 하는데, 여기서 설명하기에는 어려울 것 같습니다.
부가적으로 p와 n 사이에 연결을 고민하고 계신데, 회로적으로 전압을 가하려면 metal - p - x - n - metal 과 같은 구조가 됩니다. 말 그대로 회로는 전류가 돌아올 경로가 필요 하니까요. 그렇단 얘기는 위의 m - p - x -n - m 구조역시 바꿔 말해 p와 n 사이에 x 가 있다라는 해석도 되지만 반대로 p와 n 사이에 metal 도 있다고 해석 할 수 있습니다.
제 생각에 교수님의 의도는 앞서 말한 junction의 특성을 먼저 이해하고 발생할 수 있는 몇가지 시나리오를 생각해 보길 원한 것 같습니다.
p n 물질 사이에 금속이 있느냐 부도체가 있느냐에 따라 다릅니다. 1. 금속이 있는 경우는 p-m-n 구조가 될텐데 이때 필요한 지식은 Schottky (스펠이 맞나 모르겠네요) contact 과 ohmic contact의 특성입니다. 2. 부도체가 있는 경우는 p-i-n 구조로서 정류작용 (다이오드 같은)을 할 수 있습니다. 대부분의 반도체 회로 책에 해당 내용이 있을 테니 찾아보시면 도움이 될 것 같습니다.
